* Những đóng góp mới của luận án:

- Đã vận dụng và phát triển thành công lý thuyết về độ dẫn phi tuyến do tương tác electron-phonon đối với hệ chuẩn một chiều khi có điện trường ngoài mạnh, có tính đến quá trình hấp thụ 2 photon.

- Đã đề xuất phương pháp profile để xác định độ rộng vạch phổ kết hợp với phương pháp tính số; áp dụng thành công để xác định độ rộng vạch phổ không chỉ đối với trường hợp tuyết tính mà cả đối với trường hợp phi tuyến trong các hệ chuẩn một chiều.

- Thu được biểu thức giải thích tường minh của công suất hấp thụ trong hai loại dây lượng tử, trong hai trường hợp khi chỉ có điện trường và khi có cả điện trường và từ trường. Các biểu thức giải tích đã được tính số và vẽ đồ thị biểu diễn sự phụ thuộc vào các tham số của hệ, của trường, dưới điều kiện thực nghiệm.

- Luận án cũng chỉ ra một cách rõ ràng các điểm giống nhau và khác nhau của các hiệu ứng cộng hưởng và lý giải điều này trên cơ sở đặc trưng cấu trúc phổ năng lượng của electron, phân tích ảnh hưởng của cấu trúc vật liệu, nhiệt độ của hệ cũng như của trường ngoài lên các hiệu ứng khảo sát. Từ đó xác định sự khác nhau của electron-phonon trong các mô hình. Những kết quả thu được góp phần giải thích những cơ chế xẩy ra do tương tác electron-phonon trong các hệ chuẩn một chiều dưới tác dụng của trường ngoài và cung cấp các thông tin về tính chất của chúng cho công nghệ chế tạo các linh kiện điện tử bằng vật liệu nano hiện nay.

- Ngoài những đóng góp về nội dung, luận án cũng góp phần khẳng định khả năng, tính hiệu quả và sự đúng đắn của các phương pháp thống kê lượng tử để nghiên cứu các tính chất chuyển tải của hệ electron đối với các hệ chuẩn một chiều, cũng như tính hiệu quả của phương pháp profile để nghiên cứu độ rộng vạch phổ hấp phụ.

 Trân trọng thông báo và kính mời các quý vị quan tâm đến dự.