-
-
- Lịch sử hình thành
- Sứ mạng - Tầm nhìn
- Kế hoạch chiến lược
- Chức năng nhiệm vụ
- Hội đồng Đại học Huế
- Ban Giám đốc
- Sơ đồ tổ chức
- Công khai chất lượng giáo dục
- Bản tin Đại học Huế
-
- Tin đào tạo
- CTĐT bậc Đại học
- CTĐT Thạc sĩ
- CTĐT Tiến sĩ
- CTĐT liên kết
- CTĐT bằng tiếng nước ngoài
- Danh mục luận án tiến sĩ
- Luận án sau bảo vệ
-
- Tin Khoa học Công nghệ
- Văn bản pháp quy về KH&CN
- Biểu mẫu KHCN
- Danh mục nhiệm vụ KH&CN
- Danh mục Bài báo quốc tế
- Danh mục SHTT
- Danh mục Sản phẩm CGCN
- Danh mục Bài báo KH KTKKTN
- Giải thưởng KH&CN
- Nhóm Nghiên cứu mạnh
- Xét chức danh GS, PGS
- Hợp tác & Phát triển
-
- Tin sinh viên
- Chế độ chính sách - Quản lý SV
- Tư vấn - Hỗ trợ
- Bồi dưỡng - Kỹ năng
- Khởi nghiệp - Việc làm
- Hợp tác doanh nghiệp
- Cựu sinh viên và học viên
- Hoa khôi Đại học Huế 2020
- Tuyển sinh
-
- Tin tức, Hoạt động
-
- Ban Chấp hành
- Các Ban tham mưu
- Hướng dẫn thi hành điều lệ Đảng
- Quy trình thực hiện nghiệp vụ
- Văn bản
- Công đoàn
- Đoàn Thanh niên
- Cựu chiến binh
- Thống kê
|
Đào tạo
Liên kết
|
Nghiên cứu tính chất điện tử của vật liệu hai chiều monochalcogenide
Góp ý
Nghiên cứu các tính chất điện tử của các vật liệu hai chiều monochalcogenide nhóm III và các cấu trúc bất đối xứng Janus được hình thành từ các vật liệu monochalcogenide nhóm III bằng phương pháp lý thuyết hàm mật độ
Các tin mới hơn
Các tin đã đăng
|
Tin tức, sự kiện nổi bật
Tin tức, sự kiện mới nhất
Liên kết
|
20220309_132922_DONGGOPMOI_TUYETVI.pdf
×
![]()